在半導體生產廢水處理工程中，不可避免的會產生各種污染物的廢水，以含氟離子，含銅離子，含磷廢水的危害為嚴重。

半導體生產廢水處理工程在以上三種污染廢水的處理現狀，涉及到的具體工藝流程及生產條件進行分析。介紹離子交換樹脂法在各半導體生產廢水的應用，未來在處理含磷和含氟半導體生產廢水的展望。

半導體行業廢水處理現狀

含氟離子半導體生產廢水的處理

在半導體生產廢水處理工程中，化學沉淀和混凝沉降法的組合工藝是為經濟型處理方法，形成氟化鈣絮凝沉淀法，化學沉淀法進行含氟廢水的處理原理：

調整p H為6-7左右，加入的過量的Ca Cl2和適量的絮凝劑，形成的沉淀Ca F2成為礬花，部分污泥循環成為載體，促進絮凝效果，在沉淀池通過重力沉降實現泥水分離，一級反應能夠去除80%的氟，二級絮凝添加PAC進一步處理氟，氟化鈣及其其他形態沉淀，利用污泥泵輸送到污泥沉淀池，用板框式脫水機壓成泥餅外運，產生的壓濾液進入其他的系統進一步處理。此工藝流程比較簡單，費用也比較低，處理水中含有5-10ppm的氟離子，和Ca F2本身的溶解度有關系，但對于半導體行業的含氟廢水處理還是具有很大的適用性。

含磷半導體生產廢水處理現狀

半導體行業的含磷廢水中磷主要以PO43-為主，可以通過調整p H，加入Ca Cl2生成Ca5(PO4)3OH沉淀，難溶于水。采用的方法為化學沉淀法和混凝劑沉降法的組合工藝，形成羥基磷酸鈣，由上述可知，化學沉淀法進行含磷廢水的處理原理：

含磷廢水p H一般在2左右，一級反應池的p H調整到5-6左右，二級反應池p H調整到8.5-9，三級反應池p H調整到9-9.5（確保完全生成羥基磷酸鈣），加入的過量的Ca Cl2和適量的絮凝劑，形成的Ca5(PO4)3OH沉淀，部分污泥循環成為載體，促進絮凝效果，在沉淀池通過重力沉降實現泥水分離。此工藝流程比較簡單，費用也比較低，但是要求系統調整及時，處理水含磷波動比較大，影響處理水的排放，對于半導體行業的含磷半導體生產廢水處理還是具有很大的適用性。

半導體行業產生的含氟，含磷半導體生產廢水的處理主要采用化學沉淀法和混凝劑沉降法的組合工藝，形成沉淀物實現泥水分離。簡單的工藝流程，低費用，適用于現階段的半導體產生廢水處理，但是考慮到資源的浪費和對環境的污染，此工藝不能從根本上解決廢水問題。離子交換樹脂法技術逐漸趨于成熟，未來半導體生產廢水處理領域將替代傳統的化學混凝等工藝，因此，研制對各廢水具有交換容量大、高選擇性、再生性能好、價格便宜以及吸附解吸過程可逆性好的離子交換樹脂，也是今后半導體生產廢水處理工作者的研究方向。

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